삼성전자는 세계 최초의 차세대 낸드 인터페이스를 적용해 업계 최고 속도를 구현한 ‘256Gb(기가비트) 5세대 V낸드’를 본격 양산한다고 10일 밝혔다.

10일 정보통신(IT) 업계에 따르면 삼성전자는 ‘5세대 V낸드’ 에 자체 개발한 3대 혁신 기술을 이용해 ‘3차원 CTF 셀’을 90단 이상 쌓아 세계 최고 적층 기술을 상용화했다.

‘5세대 V낸드’는 차세대 낸드 인터페이스 ‘Toggle DDR 4.0 규격’을 처음 적용한 제품으로, 초당 데이터 전송 속도가 4세대 V낸드 대비 1.4배 빠르다.

이 제품에는 단층을 피라미드 모양으로 쌓고, 최상단에서 최하단까지 수직으로 수백나노미터 직경의 미세한 구멍을 뚫어, 데이터를 저장하는 ‘3차원(원통형) CTF 셀(CELL)’을 850억개 이상 형성하는 역대 최고 난이도의 기술이 적용됐다.

특히 단수를 올리는데 비례해 높아지는 셀 영역의 높이를 20%나 낮추는 독창적인 기술 개발로 4세대 제품대비 생산성도 30% 이상 높였다.

삼성전자는 ‘5세대 V낸드’의 성능과 생산성을 극대화하기 위해 독자 개발한 ‘3대 혁신기술’을 적용했다.

3대 혁신기술은 △초고속·저전압 동작 회로 설계 기술 △고속 쓰기·최단 읽기 응답 대기시간 회로 설계 기술 △텅스텐 원자층박막 공정 기술이다.

‘초고속·저전압 동작 회로 설계’ 기술 적용으로 ‘5세대 V낸드’는 데이터의 입출력 속도가 ‘4세대 V낸드’ 대비 1.4배 빠른 초당 1.4기가비트(Gb)에 이르고, 동작전압은 33%나 낮춰(1.8V→1.2V) 4세대와 동일수준의 소비전력량으로도 최고성능을 구현한다.